9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH88656-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8656-TL-H参考价格为0.33000美元。onsemi ECH8656-TL-H封装/规格：功率场效应晶体管。您可以下载ECH8656-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ECH8656-TL-H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ECH865R-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8，包括ECH865R系列，它们设计用于Digi-ReelR替代封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为8-ECH，该设备为2 N通道（双）FET型，该设备最大功率为1.5W，漏极到源极电压Vdss为24V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大Id Vgs的Rds为17mOhm@4.5A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为16.8nC@10V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为24 V，Rds漏极源极电阻为17 mOhms，晶体管极性为N沟道。
ECH8655R-R-TL-H是MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8，包括24 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商设备包功能，如8-ECH，该系列设计用于ECH8655 R，以及17 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1.4W Pd功率耗散。此外，该封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，Id连续漏电流为9 a。
ECH8654-TL-HQ带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用卷筒包装。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如P通道，晶体管类型设计为在1个P通道中工作。
ECH8655R，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。ECH8655R采用ECH8封装，是FET阵列的一部分。
