9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7615DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7615DN-T1-GE3参考价格$1.71000。Vishay Siliconix SI7615DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8。您可以下载SI7615DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7613DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7613DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7613DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2620pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.7 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为87nC@10V、Pd功耗为3.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13 ns 9 ns，上升时间为40 ns 7 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为8.7 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为41 ns 42 ns，并且典型的开启延迟时间是43ns 14ns，并且信道模式是增强。
SI7615ADN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于1个P通道的晶体管类型，该通道提供晶体管极性特性，如P通道，技术设计为在Si中工作，以及PowerPAKR 1212-8供应商设备包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为4.4 mOhm@20A，10V，该器件提供4.4 mOhms Rds On漏极-源极电阻，该器件具有59 nC的Qg栅极电荷，最大功率为52W，Pd功耗为52 W，部件别名为SI7621DN-T1-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR 1212-8，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为5590pF@10V，Id连续漏极电流为-35A，栅极电荷Qg Vgs为183nC@10V；FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），配置为单一。
SI7615DN-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI7615DN-T1采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
