该器件是使用STripFET F6技术开发的P沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(开)。
特色
- Verylowon抗性
- Verylowgatecharge公司
- 高雪崩强度
- 低门驱动功率损失
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.10964 | 13.10964 |
10+ | 11.75522 | 117.55227 |
100+ | 9.45053 | 945.05360 |
500+ | 7.76467 | 3882.33950 |
1000+ | 7.05878 | 7058.78500 |
3000+ | 7.05871 | 21176.13900 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
该器件是使用STripFET F6技术开发的P沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(开)。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...