9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19503KCS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19503KCS价格参考1.92000美元。德州仪器CSD19503KCS封装/规格：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3。您可以下载CSD19503KCS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD19502Q5B是MOSFET N-CH 3.4mOhm 80V功率MOSFET，包括CSD19502Q 5B系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商品名功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为138 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通-漏极-漏极电阻为3.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导最小值为88S。
CSD19501KCS是MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括2.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作NexFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为CSD19501KCS系列，该器件的上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为6.2 mOhms，Qg栅极电荷为38 nC，Pd功耗为217 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为121 A，正向跨导最小值为137 S，下降时间为5 ns，配置为单一。
CSD19502Q5BT是TI制造的“MOSFET N沟道”。CSD19502Q 5BT采用VSON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET N-沟道、Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET N信道、3.4mOhm 80V”。
