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BSC12DN20NS3 G是MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3，包括BSC12DN20系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC12DN20ANS3GATMA1 BSC12DN0NS3GXT SP000781774，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于TDSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有50W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为11.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为6.5nC，正向跨导最小值为12S，沟道模式为增强。
BSC12DN20NS3G是MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供晶体管极性功能，如N沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该器件也可以用作OptiMOS 3系列。此外，Rds漏极-源极电阻为108 mOhm，该器件提供50 W Pd功耗，该器件具有部件别名的BSC12DN20NS3GATMA1 SP000781774，封装为卷筒，封装外壳为TDSON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11.3 A，正向跨导最小值为12 S 6 S。
BSC123N10LSGATMA1是MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2，包括1个信道数量的信道，它们设计为与TDSON-8封装盒一起工作。数据表中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供部件别名功能，如BSC123N10LS BSC123N110LSGXT G SP000379612，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
具有EDA/CAD模型的BSC123NO8NS3是IC芯片的一部分。
