9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFZ34PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFZ34PBF价格参考1.97000美元。Vishay Siliconix IRFZ34PBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB。您可以下载IRFZ34PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFZ34NSTRRPBF是MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供68 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为29 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导最小值为6.5S，沟道模式为增强。
IRFZ34NSPBF是MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为49 ns，器件的漏极-源极电阻为40 mOhms，Qg栅极电荷为22.7 nC，Pd功耗为68 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为29 A，下降时间为40 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFZ34NSTRLPBF是MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK，包括29 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供to-252-3等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及68 W Pd功耗，该器件也可以用作22.7nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为40 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为55 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
IRFZ34NSTRL，带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFZ34INSTRL以TO-263封装形式提供，是FET的一部分-单个。
