STMicroelectronics STripFET™ F7系列低压MOSFET具有较低的器件导通电阻,内部电容和栅极电荷减少,切换速度更快、效率更高。
特色
- 在市场上排名靠后的RDS中
- 卓越品质(FoM)
- EMI免疫的低Crss/Cissratio
- 高雪崩强度
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.25450 | 13.25450 |
10+ | 11.90732 | 119.07328 |
100+ | 9.56931 | 956.93190 |
500+ | 7.86216 | 3931.08400 |
1000+ | 7.14743 | 7147.43900 |
3000+ | 7.14751 | 21442.53300 |
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STMicroelectronics STripFET™ F7系列低压MOSFET具有较低的器件导通电阻,内部电容和栅极电荷减少,切换速度更快、效率更高。
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