特色
- 极低的FOM R DS(on)x E oss;降低Q g,E打开,E关闭
- 高性能技术
- 低开关损耗(E oss)
- 高效
- 优异的热性能
- 低开关损耗(E oss)
- 高效
- 优异的热性能
- 允许高速切换
- 集成保护齐纳二极管
- 优化的V(GS)th为3V,公差非常小,为±0.5V
- 精细分级的投资组合
- 具有成本竞争力的技术
- 与C6技术相比,效率提高高达2.4%,器件温度降低12K
- 更高开关速度下的进一步效率增益
- 支持更小的磁性尺寸和更低的BOM成本
- 高ESD耐用性,高达HBM 2级
- 易于驾驶和设计
- 实现更小的外形尺寸和高功率密度设计
- 在选择最适合的产品方面的最佳选择
应用
- 充电器
- 适配器
- 电视
- 照明
- 音频
- 辅助电源