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IPS70R600P7SAKMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.06060 2.06060
  • 库存: 85
  • 单价: ¥2.06061
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.06
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 700 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5 nC@10 V
  • 最大功耗 43W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO251-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.5A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 600毫欧姆 @ 1.8A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V @ 90A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 364 pF @ 400 V
  • 色彩/颜色 -

IPS70R600P7SAKMA1 产品详情

英飞凌的700V CoolMOS功率MOSFET产品系列树立了超级结技术的标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合。这是英飞凌二十多年来开创性的超级结MOSFET技术创新的结果。700 V CoolMOS P7在效率和热量、易用性和EMI性能方面最适合目标应用。

特色

  • 极低的FOM R DS(on)x E oss;降低Q g,E打开,E关闭
  • 高性能技术
    • 低开关损耗(E oss)
    • 高效
    • 优异的热性能
  • 低开关损耗(E oss)
  • 高效
  • 优异的热性能
  • 允许高速切换
  • 集成保护齐纳二极管
  • 优化的V(GS)th为3V,公差非常小,为±0.5V
  • 精细分级的投资组合
  • 具有成本竞争力的技术
  • 与C6技术相比,效率提高高达2.4%,器件温度降低12K
  • 更高开关速度下的进一步效率增益
  • 支持更小的磁性尺寸和更低的BOM成本
  • 高ESD耐用性,高达HBM 2级
  • 易于驾驶和设计
  • 实现更小的外形尺寸和高功率密度设计
  • 在选择最适合的产品方面的最佳选择

应用

  • 充电器
  • 适配器
  • 电视
  • 照明
  • 音频
  • 辅助电源

IPS70R600P7SAKMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPS70R600P7SAKMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPS70R600P7SAKMA1价格参考¥2.060605,你可以下载 IPS70R600P7SAKMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPS70R600P7SAKMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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