9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7113DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7113DN-T1-GE3参考价格为1.74000美元。Vishay Siliconix SI7113DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK。您可以下载SI7113DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7113DN-T1-E3是MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7113DN-E3的零件别名，该SI7113DN E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAK-1212-8以及Si技术，该设备还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.7W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为40 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为134mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强型。
SI7112DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如65 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SI71xxDx，器件的上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为7.5mOhms，Pd功耗为1.5W，零件别名为SI7112DN-GE3，包装为卷轴式，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.3 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7113DN，带有SI制造的电路图。SI7113DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
