9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7858BDP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7858BDP-T1-GE3参考价格为1.74000美元。Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7858BDP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7858ADP-T1-E3是MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI7858DP-T1的零件别名，该SI7858ADD-T1提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET/PPowerPAK商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为5700pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为2.6mOhm@29A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为80nC@4.5V，Pd功耗为1.9W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为70纳秒，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为29 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Rds导通-漏极电阻为2.6毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为140纳秒，典型接通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为130S，信道模式为增强。
SI7858ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40纳秒，典型的关闭延迟时间设计为140纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET/PPowerPAK，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为40纳秒，漏极源极电阻Rds为2.6毫欧，Pd功耗为1.9 W，零件别名为SI7858ADP-GE3，包装为卷轴，包装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7858BDP，带有VISHAY制造的电路图。SI7858BDP在SON-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7858BDP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7858BDP-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
