9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4840BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4840BDY-T1-GE3参考价格1.74000美元。Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 19A 8SO。您可以下载SI4840BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4840BDY-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4840BDY-E3的零件别名，该SI4840RDY-E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为2000pF@20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@12.4A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，Pd功耗为6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12ns 15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为19A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns 30ns，典型导通延迟时间为25 ns 10ns，沟道模式为增强型。
SI4840-A10-GUR是用于数字无线电的IC AM/FM RX，包括2 V~3.6 V电源，它们设计为与24-SSOP供应商设备包一起工作。数据表注释中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供包装箱功能，如24-SSOP（0.154英寸，3.90mm宽），它具有-15°C~85°C的工作温度范围，以及AM、FM调制或协议，该设备也可用于504kHz～1.75MHz、64MHz～109MHz频率。此外，数据接口为PCB，表面贴装，设备提供21.5mA电流接收，设备具有通用用途，天线连接器为PCB，面贴装。
SI4840BDY，带有VISHAY制造的电路图。SI4840BDY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
