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FDD13AN06A0

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A (Ta), 50A (Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.76151 13.76151
10+ 12.33465 123.34659
100+ 9.91408 991.40820
500+ 8.14522 4072.61000
1000+ 7.40477 7404.77900
2500+ 7.40477 18511.94750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.95079
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.76
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 115W(Tc)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350 pF@25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.9A (Ta), 50A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 13.5毫欧姆@50A,10V
  • 色彩/颜色 黑色

FDD13AN06A0 产品详情

N沟道PowerTrench®MOSFET 60V,50A,13mΩ

特色

  • RDS(开启)=11.5米Ω (典型)@VGS=10V,ID=50A
  • QG(tot)=22nC(典型值)@VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101

应用

  • AC-DC商用电源
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • AC-DC商用电源-台式电脑
  • 其他数据处理
FDD13AN06A0所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD13AN06A0 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD13AN06A0价格参考¥11.950785,你可以下载 FDD13AN06A0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD13AN06A0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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