9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR9310TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9310TRPBF参考价格为1.76000美元。Vishay Siliconix IRFR9310TRPBF封装/规格：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK。您可以下载IRFR9310TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR9310TRLPBF是MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为50W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Cis-Vds为270pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7 Ohm@1.1A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-400V，Rds导通漏极-漏极电阻为7欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRFR9310PBF是MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以10ns上升时间提供，器件具有7欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为50W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.8 A，下降时间为24 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR9310是由IR制造的MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK。IRFR931可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH400V 1.8A DPE、P沟道400V 1.8A（Tc）50W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET P-CH-Si 400V 1.8A 3-Pin（2+Tab）DPAK。
IRFR9310TR带有由IR制造的EDA/CAD型号。IRFR93110TR采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分，P沟道400V 1.8A（Tc）50W（Tc）表面安装D-Pak，Trans-MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3引脚（2+Tab）DPAK T/R。
