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CSD18532KCS是MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFET，包括CSD18532KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为216 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.6 ns，上升时间为5.3 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为169A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24.2ns，典型接通延迟时间为7.8ns，Qg栅极电荷为44nC，并且正向跨导Min为146S。
CSD18531Q5AT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000847 oz，典型开启延迟时间设计为4.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18531Q5A，上升时间为7.8ns，漏极-源极电阻Rds为5.8mOhm，Qg栅极电荷为36nC，Pd功耗为156W，封装为卷轴，封装盒为VSON-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为134 A，下降时间为2.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD18532NQ5B是MOSFET 60V NCh NexFET功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在2.7 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于140 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如163 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.2W，Qg栅极电荷为49nC，Rds漏极源极电阻为3.5mOhm，上升时间为8.7ns，系列为CSD18532NQ5B，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为8.2ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V。
