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FDP150N10是MOSFET N-CH 100V 57A TO-220，包括管封装，它们设计用于0.063493盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为83 ns，上升时间为164 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为57 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为12mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为47ns，沟道模式为增强。
FDP-1500带有用户指南，包括FX-300系列，它们设计用于与FX-300型系列一起使用，用于相关产品，附件类型如数据表注释所示，用于保护管。
FDP150N10A是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3。FDP150N10A在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3，N沟道100V 50V（Tc）91W（Tc）通孔TO-220-3。
