9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR878BDP-T1-RE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR878BDP-T1-RE3参考价格为1.78000美元。Vishay Siliconix SIR878BDP-T1-RE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK。您可以下载SIR878BDP-T1-RE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR876ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，零件别名如数据表注释所示，用于SIR876ADP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为62.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1630pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为10.8 mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为49nC@10V，Pd功耗为62.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2.8 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为10.8毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55纳秒，典型接通延迟时间为28纳秒，Qg栅极电荷为32.8纳秒，正向跨导最小值为54秒。
SIR878ADP-T1-GE3是MOSFET 100V14mOhm@10V40A N-Ch MV T-FET，包括2.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供0.017870 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为12 ns，以及25 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以ThunderFET TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SIRxxxADP，上升时间为13 ns，漏极电阻Rds为14 mOhm，Qg栅极电荷为13.9 nC，Pd功耗为44.5 W，部件别名为SIR878ADP-GE3，封装为Reel，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为44 S，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SIR872DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8，包括53.7 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了SO-8中使用的封装情况，该SO-8提供Rds漏极源极电阻特性，如18 mOhms，系列设计用于SIRxxxDP，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件的单位重量为0.017870盎司，器件具有150 V的Vds漏极-源极击穿电压。
SIR876DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8。SIR876DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8、N沟道100V 40V（Tc）5W（Ta）、62.5W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 100V 15.2A 8引脚PowerPAK SO T/R。
