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IPD122N10N3GATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 94W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.47179 13.47179
10+ 12.03045 120.30457
100+ 9.37955 937.95560
500+ 7.74831 3874.15500
1000+ 6.79673 6796.73700
2500+ 6.79673 16991.84250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.73350
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.47
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 59A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2500 pF@50 V
  • 最大功耗 94W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@46A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 12.2毫欧姆@46A,10V
  • 色彩/颜色 -

IPD122N10N3GATMA1 产品详情

IPD122N10N3GATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD122N10N3GATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD122N10N3GATMA1价格参考¥11.733498,你可以下载 IPD122N10N3GATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD122N10N3GATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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