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FDD5353

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Ta),50A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.31293 12.31293
10+ 11.03093 110.30937
100+ 8.60166 860.16680
500+ 7.10557 3552.78750
1000+ 5.94968 5949.68000
2500+ 5.94968 14874.20000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.31
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 65 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11.5A(Ta),50A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12.3毫欧姆@10.7A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3215 pF @ 30 V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、69W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

FDD5353 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大程度降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

特色

  • VGS=10V,ID=10.7A时,最大rDS(开)=12.3mΩ
  • VGS=4.5V,ID=9.5A时,最大rDS(开)=15.4mΩ
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD5353所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD5353 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD5353价格参考¥12.312930,你可以下载 FDD5353中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD5353规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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