9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN1R5-25MLHX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN1R5-25MLHX参考价格$1.81000。Nexperia USA Inc.PSMN1R5-25MLHX封装/规格：MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33。您可以下载PSMN1R5-25MLHX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的PSMN1R4-30YLDX，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为与PSMN1R4-10YLD零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供SC-100、SOT-669、4-LFPAK等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备采用LFPAK、Power-SO8供应商设备包提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道、金属氧化物，最大功率为166W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为3840pF@15V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc），Rds On Max Id Vgs为1.42 mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为2.2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为54.8nC@10V，Pd功耗为166 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，并且下降时间为20.6ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.44mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31.5ns，典型的开启延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为27.6nC，信道模式为增强。
带有用户指南的PSMN1R4-40YLDX，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如39 ns，典型的关闭延迟时间设计为47 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为49 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为238 W，封装为卷轴，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为30 ns，配置为单一，通道模式为增强。
PSMN1R3-30YL，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括100A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了6227pF@12V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-1023，4-LFPAK封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为121W，最大Id Vgs为1.3mOhm@15A，10V，供应商设备包为LFPAK、Power-SO8，Vgs th Max Id为2.15V@1mA。
