英飞凌的强IRFET该系列针对低R进行了优化DS公司（开）和高电流能力。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性，非常适合于工业低频应用，包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理，其中性能和耐用性至关重要。
IRFB7434PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 294W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.38412 | 4.38412 |
- 库存: 5
- 单价: ¥4.38413
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.38
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 195A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 250A
- 导通电阻 Rds(ON) 1.6毫欧姆@100A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 324 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10820 pF @ 25 V
- 最大功耗 294W（Tc）
- 色彩/颜色 -
IRFB7434PBF 产品详情
强IRFET™ 功率MOSFET，英飞凌
IRFB7434PBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFB7434PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFB7434PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFB7434PBF价格参考￥4.384127，你可以下载 IRFB7434PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFB7434PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
