9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18542KCS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18542KCS价格参考2.63000美元。德州仪器CSD18542KCS封装/规格：MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3。您可以下载CSD18542KCS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18537NQ5AT是MOSFET 60V NCh NexFET功率MOSFET，包括CSD18537PQ5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商品名功能，封装外壳设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为3.2ns，上升时间为4ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为62A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.4ns，典型接通延迟时间为5.8ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导最小值为62S，沟道模式为增强。
CSD18540Q5BT是MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-VSON（5x6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如2.2mOhm@28A，10V，Power Max设计为3.1W，以及Digi-ReelR替代封装封装，该设备也可以用作8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有4230pF@30V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为53nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为100A（Ta）。
CSD18540Q5B是TI制造的“MOSFET 60V”。CSD18540Q 5B以VSON8封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET60V、MOSFET60V和N沟道NexFET Pwr MOSFET”。
