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PSMN1R1-40BS，118是MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于D2PAK，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作306W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为40V，该器件提供9710pF@20V输入电容Cis Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为120A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.3mOhm@25A，10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为136nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN1R2-25YL。PSMN1R2-25YL在SOT1023封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R2-25YLC，带有NXP制造的电路图。PSMN1R2-25YLC采用SOT669封装，是IC芯片的一部分。
