9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4463BDY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4463BDY-T1-E3价格参考1.68000美元。Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO。您可以下载SI4463BDY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4463-B1B-FMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括SI4463系列，它们设计用于TXRX+MCU类型，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及EZRadioPRO商品名，该器件也可以用作20-VFQFN暴露焊盘封装盒。此外，频率为119MHz~1.05GHz，工作温度范围为-40°C~85°C，设备的频率范围为119MHz-1050MHz，灵敏度为-126dBm，电源电压为1.8V~3.6V，数据速率最大值为1Mbps，串行接口为SPI，功率输出为20dBm（最大值），输出功率为20dBm，电流接收为10.7mA~13.7mA，RF系列标准为通用ISM，调制为4GFSK、GFSK、GMSK、OOK，GPIO为4，电流发射为70mA～85mA，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为SPI，最大数据速率为1 Mb/s，电源电流发射为70 mA 85 mA，电源电流接收为10 mA 13 mA，电源电压最大值为3.6 V，并且调制格式是4-FSK 4-GFSK ASK FSK GFSK GMSK MSK OOK。
SI4463BDY是MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm@10V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为115 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在60 ns上升时间内提供，器件具有11 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI4463BDY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.8 A，下降时间为75 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4463BDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4463BDY-T1采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
