9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT7M120B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT7M120B参考价格为5.39000美元。微芯片技术APT7M120B封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 8A TO247。您可以下载APT7M120B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT7F120B是MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件还可用作335 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为13 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为7 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.57欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为80nC，正向跨导最小值为8S，沟道模式为增强。
APT7F80K是MOSFET N-CH 800V 7A TO-220，包括2.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为11 ns，器件的漏极-源极电阻为1.5欧姆Rds，器件的Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为225 W，通道数为1通道，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为7 a，并且下降时间是10ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
APT7F100B是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
