9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF620STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF620STRLPBF参考价格为2.14000美元。Vishay Siliconix IRF620STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK。您可以下载IRF620STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF620PBF是MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供50 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7.2ns，沟道模式为增强。
IRF620SPBF是MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为22 ns，器件的漏极电阻为800 mOhms，Pd功耗为3 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.2 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF620S是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK。IRF620S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 5.2B D2PAK、N沟道200V 5.2C（Ta）3W（Ta）、50W（Tc）表面安装D2PAK。
