9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4421DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4421DY-T1-E3参考价格为2.20000美元。Vishay Siliconix SI4421DY-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 10A 8SO。您可以下载SI4421DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4421DY-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si4421DY-E3的零件别名，该Si4421DY E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8.75 mOhm@14A，4.5V，Vgs的最大Id为800mV@850μA，栅极电荷Qg Vgs为125nC@4.5V，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为90纳秒，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.75mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为350ns，典型接通延迟时间为45ns，沟道模式为增强。
SI4421-A1-FTR是IC RF TXRX ISM，包括2.2 V~3.8 V电源，设计用于仅TXRX类型，系列如数据表说明所示，用于SI4421，提供SPI等串行接口功能，灵敏度设计用于-110dBm，以及通用ISM RF系列标准，该设备也可作为7dbm功率输出。此外，包装是胶带和卷筒（TR）交替包装，该设备采用16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制为FSK，GPIO为，频率为315MHz、434MHz、868MHz、915MHz，最大数据速率为256kbps，电流发射为15mA~24mA，电流接收为11mA~13mA。
SI4421DY，电路图由FSC制造。SI4421DY采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI4421DY-T1E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4421DY-T1E3在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
