9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19536KCS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19536KCS参考价格为5.44000美元。德州仪器CSD19536KCS封装/规格：MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3。您可以下载CSD19536KCS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD19535KTTT是MOSFET 100V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD19535KTT系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在0.068654盎司的数据表注释中，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于NexFET，以及to-263-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为200A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为75nC，正向跨导Min为301S，并且信道模式是增强。
CSD19535KCS是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括2.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作NexFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为CSD19535KCS系列，该器件的上升时间为15 ns，漏极-源极电阻Rds为3.4 mOhms，Qg栅极电荷为78 nC，Pd功耗为300 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为187 A，正向跨导最小值为274 S，下降时间为5 ns，配置为单一。
CSD19535KTT是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于CSD19535KTT，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
