9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7634BDP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7634BDP-T1-GE3参考价格为2.21000美元。Vishay Siliconix SI7634BDP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7634BDP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7634BDP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7629DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7629DNV-GE3中使用的零件别名，该SI7629DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为5790pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.6mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为177nC@10V，Pd功耗为52W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为12 V，并且Id连续漏极电流为-35A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.5V，Rds漏极源极电阻为3.8mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为118nC，正向跨导Min为64S。
SI7634BDP-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns 30 ns，典型的关闭延迟时间设计为34 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为10 ns 12 ns，器件的漏极-源极电阻为54 mOhms，Pd功耗为5 W，零件别名为SI7634BDP-E3，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为22.5 A，下降时间为8 ns 12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7633DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7633DP在PAK SO8封装中提供，是FET的一部分-单个。
