CSD19536KTTT

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 制造厂商 德州仪器 (Texas)
• 最大功耗 375W (Tc)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.2V@250A.
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 153 nC @ 10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 200A（Ta）
• 包装/外壳 至263-4，DPak（3根引线+接线片），TO-263AA
• 导通电阻 Rds(ON) 2.4毫欧姆@100A，10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12000 pF@50 V
• 供应商设备包装 DDPAK/TO-263-3
• 色彩/颜色 黑色