9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP10NK70Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP10NK70Z参考价格为2.23000美元。STMicroelectronics STP10NK70Z封装/规格：MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB。您可以下载STP10NK70Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP10NK60Z是MOSFET N-Ch 600伏特10安培齐纳超级MESH，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有115 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为750mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导最小值为7.8S，沟道模式为增强。
STP10NK60ZFP是MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.071959盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为20ns，漏极电阻Rds为750mOhms，Pd功耗为35W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，正向跨导最小值为7.8S，下降时间为30ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
stp10nk60带有ST制造的电路图。stp10nk60采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
