9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3443DDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3443DDV-T1-GE3参考价格为0.45000美元。Vishay Siliconix SI3443DDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP。您可以下载SI3443DDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3443CDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3443CDVD-GE3的零件别名，该SI3443CDV-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为610pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.97A（Tc），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@4.7A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12.4nC@5V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11 ns，上升时间为59 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-1.5 V，Rds漏极源极电阻为60 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为8.26nC，信道模式为增强。
SI3443CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如27 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为59 ns，器件的漏极-源极电阻为60 mOhms，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3443CDV-E3，封装为卷轴，封装外壳为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.7A，下降时间为11ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI3443CVD-T1-E3是MOSFET 20V 4.7A 3.2W，包括4.7 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，信道数量如数据表注释所示，用于1信道，提供封装盒功能，如TSOP-6，封装设计用于卷筒，以及SI3443CVDE-E3部件别名，该器件也可以用作3.2W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为60 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.000705 oz，Vds漏极源极击穿电压为-20 V。
SI3443DDV-T1-GE3具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
