NTE4151PT1G

Name: NTE4151PT1G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7135025-NTE4151PT1G
Price: 3.331734 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 760毫安 (Tj) 最大功耗: 313mW (Tj) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

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数量	单价	合计
1+	3.33173	3.33173
10+	2.50604	25.06043
100+	1.56229	156.22940
500+	1.06890	534.45350
1000+	0.82221	822.21400
3000+	0.74000	2220.02100
6000+	0.69886	4193.20200

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
导通电阻 Rds(ON) 360毫欧姆 @ 350毫安, 4.5V
包装/外壳 SC-89，SOT-490
最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
供应商设备包装 SC-89-3
漏源电流 (Id) @ 温度 760毫安 (Tj)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 156 pF@5V
最大功耗 313mW (Tj)
色彩/颜色黑色

NTE4151PT1G 产品详情

小信号MOSFET-20 V，540 mA，单P通道，栅齐纳，SC-75和SC-89

特色

低RDS（开启）可提高效率并延长电池寿命
小外形包装（1.6 x 1.6 mm）
ESD保护门
符合RoHS

应用

隐藏侧负荷开关
DC-DC转换
小型驱动电路
电池操作系统，如手机、PDA、数码相机等。

（图片：引出线）

NTE4151PT1G 相关器件

型号	制造商	描述	价格
NTE31000	NTE电子 (NTE)	定向: 侧视图传感距离: 45M 工作电流: 350A. 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度（TA）	¥13.9788
NTE30050	NTE电子 (NTE)	工作波长: 900nm 光谱范围: 760nm ~ 1000nm 可视角度: 140° 响应时长: 45ns 包装/外壳: 径向-2条引线工作温度: -25摄氏度~85摄氏度	¥4.27331
NTE30049	NTE电子 (NTE)	工作波长: 900nm 光谱范围: 500nm ~ 1100nm 可视角度: 120° 响应时长: 45ns 包装/外壳: 径向-2条引线工作温度: -25摄氏度~85摄氏度	¥4.27331
NTE3033	NTE电子 (NTE)	工作波长: 1000纳米光谱范围: 700nm ~ 1050nm 可视角度: 70° 包装/外壳: 径向-2条引线工作温度: -30摄氏度~70摄氏度	¥44.54384
NTE3103	NTE电子 (NTE)	传感距离: 0.118英寸（3毫米）传感方式: 透射型集电极击穿电压: 1伏最大集电极电流 (Ic): 100毫安输出配置: 光电晶体管响应时长: 45s, 250s	¥48.31014
NTE3101	NTE电子 (NTE)	传感距离: 0.118英寸（3毫米）传感方式: 透射型集电极击穿电压: 0.4伏最大集电极电流 (Ic): 100毫安输出配置: 光电晶体管响应时长: 8s, 50s	¥48.81715
NTE3102	NTE电子 (NTE)	传感距离: 0.118英寸（3毫米）传感方式: 透射型集电极击穿电压: 0.4伏最大集电极电流 (Ic): 20毫安输出配置: 光电晶体管响应时长: 8s, 50s	¥50.33816
NTE3100	NTE电子 (NTE)	传感距离: 0.118英寸（3毫米）传感方式: 透射型集电极击穿电压: 0.4伏最大集电极电流 (Ic): 20毫安输出配置: 光电晶体管响应时长: 8s, 50s	¥53.38017
NTE1V300	NTE电子 (NTE)	浪涌电流: 12 kA 包装/外壳: 阀瓣8.5毫米电线数量: one 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 通孔	¥13.83394
NTE5212A	NTE电子 (NTE)	标称齐纳电压 (Vz): 56 V 最大功率: 10 W 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-4 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥93.28855

NTE4151PT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTE4151PT1G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTE4151PT1G价格参考￥3.331734，你可以下载 NTE4151PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTE4151PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！