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NTF6P02T3G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 8.3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.98119 8.98119
10+ 8.03237 80.32376
100+ 6.26148 626.14870
500+ 5.17258 2586.29450
1000+ 4.33110 4331.10900
4000+ 4.33110 17324.43600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.53262
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.98
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 6A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1200 pF@16 V
  • 最大功耗 8.3W (Ta)
  • 色彩/颜色 不锈钢

NTF6P02T3G 产品详情

功率MOSFET-20V-10A 50 mΩ单P沟道SOT-223逻辑电平

特色

  • 低RDS(打开)
  • 逻辑电平门驱动
  • 二极管表现出高速、软恢复
  • 提供无铅包装
  • 指定雪崩能量

应用

  • 便携式和电池供电产品的电源管理,即:蜂窝电话和无绳电话以及PCMCIA卡


(图片:引出线)

NTF6P02T3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTF6P02T3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTF6P02T3G价格参考¥7.532616,你可以下载 NTF6P02T3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTF6P02T3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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