这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。
SQ坚固系列MOSFET的优点•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项
AEC-Q101型
SQS415ENW-T1_GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.11204 | 8.11204 |
| 10+ | 7.26462 | 72.64629 |
| 100+ | 5.66249 | 566.24990 |
| 500+ | 4.67746 | 2338.73250 |
| 1000+ | 3.69279 | 3692.79300 |
| 3000+ | 3.69279 | 11078.37900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥8.11205
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.11
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Tc）
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 82 nC @ 10 V
- 最大功耗 62.5W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 16.1毫欧姆@12A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4825 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 PowerPAK1212-8W
- 包装/外壳 PowerPAK1212-8W
- 色彩/颜色 银
SQS415ENW-T1_GE3 产品详情
N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体
SQS415ENW-T1_GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQS16A10R0JSLF | TT 电子 (TT /BI) | 电阻器数量: 8 电阻 (Ohms): ten 公差: ±5% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 16-QSOP，16-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥4.09948 |
 | SQS16A51R0JSLF | TT 电子 (TT /BI) | 电阻器数量: 8 电阻 (Ohms): 51 公差: ±5% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 16-QSOP，16-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥16.68764 |
 | SQS20B1501GSLF | TT 电子 (TT /BI) | 电阻器数量: nineteen 电阻 (Ohms): 1.5k 公差: ±2% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 20-QSOP, 20-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥7.80785 |
 | SQS24B1002GSLF | TT 电子 (TT /BI) | 电阻器数量: twenty-three 电阻 (Ohms): 10k 公差: ±2% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 24-QSOP, 24-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥2.07147 |
| SQSC-02H-1A-Y | 暂无 | ¥0.75386 | |
| SQS-A03GF-P-P | 日本科学技术协会 (JST) | ¥1.09658 | |
| SQSKR-02H-1C-Y | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.80903 | |
| SQSKR-02H-1A-K | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.66852 | |
| SQSR-02H-1A-K | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.70329 | |
| SQSR-02H-1C-D | 日本科学技术协会 (JST) | ¥1.1241 |
SQS415ENW-T1_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQS415ENW-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQS415ENW-T1_GE3价格参考￥8.112048，你可以下载 SQS415ENW-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQS415ENW-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
