NTB25P06T4G

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
• 场效应管类型 P-通道
• 供应商设备包装 DPAK
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1680 pF@25 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 27.5A（Ta）
• 导通电阻 Rds(ON) 82毫欧姆 @ 25A, 10V
• 最大功耗 120W（Tj）
• 色彩/颜色 黑色