9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS410DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS410DN-T1-GE3参考价格为1.13000美元。Vishay Siliconix SIS410DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8。您可以下载SIS410DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS407DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，零件别名显示在数据表注释中，用于SIS407DN-GE3，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为33W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为2760pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为25A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9.5mOhm@15.3A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为93.8nC@8V，Pd功耗为33W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-25A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V，Rds漏极电阻为8.2mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为62.5nC，正向跨导Min为60S。
SiS410DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR 1212-8供应商器件包中提供，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为15ns，Rds On Max Id Vgs为4.8mOhm@20A、10V，Rds On Drain Source电阻为5mOhm，功率最大值为52W，Pd功耗为5.2W，零件别名为SIS410DN-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1600pF@10V，Id连续漏极电流为35A，栅极电荷Qg Vgs为41nC@10V；正向跨导最小值为70S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为15ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），并且配置为单一，信道模式为增强。
带有电路图的SIS407ADN-T1-GE3，包括18A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如MOSFET P沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计为在168nC@8V下工作，以及5875pF@10V输入电容Cis Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有PowerPAKR 1212-8封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为39.1W，最大Id Vgs上的Rds为9 mOhm@15A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR 1202-8，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，Vgsth最大Id为1V@250μA。
SIS4101PT1G，带有SIS制造的EDA/CAD模型。SIS4101PT1G采用SOT323封装，是IC芯片的一部分。
