9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS892ADN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS892ADN-T1-GE3参考价格为1.13000美元。Vishay Siliconix SIS892ADN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8。您可以下载SIS892ADN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIS892ADN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIS890DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，零件别名如数据表注释所示，用于SIS890DN-GE3，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为双通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为802pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为23.5mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为29nC@10V，Pd功耗为52W，Vgs栅极-源极电压为3V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3v，Rds漏极源极电阻为23.5mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强。
SIS862DN-T1-GE3是MOSFET 60V8.5mOhm@10V40A N-Ch G-IV，包括1.5 V至2.6 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间特性，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为ThunderFET TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件具有SISxxxDN系列，上升时间为5 ns，漏极-源极电阻Rds为8.5 mOhms，Qg栅极电荷为8.7 nC，Pd功耗为52 W，封装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SIS85C502，带有KEXIN制造的电路图。SIS85C502采用MP200封装，是IC芯片的一部分。
