PMV40UN2R
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 490mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安世 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.54828 | 0.54828 |
100+ | 0.46644 | 46.64430 |
1000+ | 0.43892 | 438.92000 |
- 库存: 55
- 单价: ¥0.54829
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.55
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安世 (Nexperia)
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 供应商设备包装 TO-236AB
- 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 635 pF @ 15 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.7A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 44毫欧姆 @ 3.7A, 4.5V
- 最大功耗 490mW (Ta)
- 色彩/颜色 -
PMV40UN2R 产品详情
N沟道MOSFET,最高30V
PMV40UN2R所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMV40UN2R 由 安世 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMV40UN2R价格参考¥0.548288,你可以下载 PMV40UN2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMV40UN2R规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世 (Nexperia)
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的...