- 应用范围：开关稳压器
- 极性：N-ch
- 生成：DTMOSⅣ
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 装配基地：中国
特色
- 装配底座：3.5 V
- 装配底座：250 mΩ
- 装配底座：1300 pF
- 装配底座：35 nC
应用
开关稳压器
TK14G65W,RQ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.7A（Ta） 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 22.06477 | 22.06477 |
- 库存: 4
- 单价: ¥22.06477
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.06
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 最大功耗 130W（Tc）
- 供应商设备包装 D2PAK
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13.7A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 250欧姆@6.9A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 690°时为3.5VA.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@300 V
- 色彩/颜色 -
TK14G65W,RQ 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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TK14G65W,RQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TK14G65W,RQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TK14G65W,RQ价格参考￥22.064771，你可以下载 TK14G65W,RQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TK14G65W,RQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
