9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7898DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7898DP-T1-GE3参考价格为2.34000美元。Vishay Siliconix SI7898DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8。您可以下载SI7898DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7898DP-T1-E3是MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表中显示了用于SI7898DP-T1的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及TrenchFET/PowerPAK商标中工作，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为150V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为85 mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V，Pd功耗为1.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为85毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24 ns，典型开启延迟时间为9ns，信道模式为增强。
SI7898DP带有SI制造的用户指南。SI7898D可采用QFN-8封装，是FET的一部分-单体。
SI7898DP-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8引脚PowerPAK SO T/R。SI7898DP-T1采用QFN封装，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8引脚PowerPAK SO T/R。
