9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP1045U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP1045U-7的参考价格为0.47000美元。Diodes Incorporated DMP1045U-7封装/规格：MOSFET P-CH 12V 4A SOT23。您可以下载DMP1045U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMP1045U-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMP1022UFDE-7是MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN，包括DMP10系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如UDFN2020-6，技术设计用于Si，以及2通道数的通道，该设备也可以用作双双漏极配置。此外，晶体管类型为2 P沟道，器件提供2.03 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为93 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-11.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为46mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为117ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为28.4nC，正向跨导最小值为12S，沟道模式为增强。
带用户指南的DMP1022UFDF-13，包括-0.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vg栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-12 V，提供典型的开启延迟时间功能，如25.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为141 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为PowerDI，该器件采用Si技术，该器件具有DMP10系列，上升时间为39.8 ns，漏极源极电阻Rds为23 mOhms，Qg栅极电荷为48.3 nC，Pd功耗为2.1 W，封装为卷轴，封装盒为UDFN2020-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-9.5 A，下降时间为147 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP1022UFDF-7是MOSFET 12V P-Ch Enh模式19Vgs 2712pF 28.6nC，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于147 ns，提供Id连续漏电流功能，如-6.6 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用UDFN2020-6封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为730 mW，Qg栅极电荷为48.3 nC，Rds漏极-源极电阻为32 mOhm，上升时间为39.8 ns，系列为DMP10，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为141ns，典型接通延迟时间为25.1ns，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅源极电压为8V，Vgsth栅源极阈值电压为-0.8V。
