包装：TO-92（TO-226AA）型
最大额定值
1.漏极-源极电压：VDS=60 Vdc
2.栅极-源极电压
-连续：VGS=±20 Vdc
-非重复（tp 3 50 ms）：VGSM=±40 Vpk
3.漏电流（1）ID 0.5 Adc
4.TA=25°C时的总装置损耗：PD=350 mW
5.操作和储存结温度范围：TJ，Tstg=–55至+150°C
特色
- 本产品通用，适用于许多不同的应用
（图片：引出线）
BS170-D26Z
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 830mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.04201 | 3.04201 |
| 10+ | 2.47707 | 24.77072 |
| 100+ | 1.68542 | 168.54230 |
| 500+ | 1.26388 | 631.94300 |
| 1000+ | 0.94795 | 947.95100 |
| 2000+ | 0.86893 | 1737.86200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.47659
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.04
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40 pF @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 200毫安, 10V
- 最大功耗 830mW (Ta)
- 色彩/颜色 黑色
BS170-D26Z 产品详情
BS170-D26Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BS12I-MC | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads - 12" (304.8毫米) 包装: 散装 | ¥11.37135 |
 | BS12T | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads - 12" (304.8毫米) 包装: 散装 | ¥12.45779 |
 | BS12I-NICAD | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads - 12" (304.8毫米) 包装: 散装 | ¥56.55256 |
 | BS12T-MC | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads - 12" (304.8毫米) 包装: 散装 | ¥12.45779 |
 | BS1SSL16999XW | 安费诺互连产品 (Amphenol PCD) | 种类: 电缆夹后壳 拉帽规格: 17，E 出线口: 180° 材质: 铝合金 色彩/颜色: 橄榄色 特点: 夹紧螺钉，自锁，应力消除 | ¥788.52004 |
 | BS100C | 夏普株式 (Sharp) | 工作波长: 560nm 光谱范围: 500nm ~ 600nm 包装/外壳: 侧视图 工作温度: -20摄氏度~60摄氏度 | ¥915.40297 |
 | BS120 | 夏普株式 (Sharp) | 工作波长: 560nm 光谱范围: 500nm ~ 600nm 包装/外壳: 侧视图 工作温度: -20摄氏度~60摄氏度 | ¥1,805.54191 |
 | BS120E0F | 夏普株式 (Sharp) | 工作波长: 560nm 光谱范围: 500nm ~ 600nm 包装/外壳: 侧视图 工作温度: -20摄氏度~60摄氏度 | ¥2,272.11299 |
| BS100C0F | 夏普株式 (Sharp) | 工作波长: 560nm 光谱范围: 500nm ~ 600nm 包装/外壳: 侧视图 工作温度: -20摄氏度~60摄氏度 | ¥502.8047 |
 | BS170RLRM | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 60V 500MA TO-92 | ¥0.37663 |
BS170-D26Z所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BS170-D26Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BS170-D26Z价格参考￥3.476592，你可以下载 BS170-D26Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BS170-D26Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
