特色
- VGS=10V，ID=70A时，Typ rDS（开）=3.9mΩ
- VGS=10V时，典型Qg（TOT）=91nC
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDB8444
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 167W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 17.60024 | 17.60024 |
| 10+ | 15.83297 | 158.32979 |
| 100+ | 12.72722 | 1272.72240 |
| 800+ | 10.45693 | 8365.54960 |
| 1600+ | 9.50630 | 15210.08960 |
- 库存: 530
- 单价: ¥17.60025
-
数量:
- +
- 总计: ¥17.60
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
- 最大功耗 167W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 5.5毫欧姆 @ 70A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 128 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8035 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
FDB8444 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，40V，70A，5.5mΩ
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FDB8444所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB8444 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB8444价格参考￥17.600247，你可以下载 FDB8444中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB8444规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
