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BSC059N04LS G是MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSC059N01LSGATMA1 BSC059N05LSGXT SP000391499，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.8 ns，上升时间为3.4 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为5.6ns，沟道模式为增强。
BSC059N04LS，带有INFINEON制造的用户指南。BSC059N04LS在TDSON8封装中提供，是FET的一部分-单个。
BSC059N04LSG，带有INFINEON制造的电路图。BSC059N04LSG采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
