9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN6R3-120ESQ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN6R3-120ESQ参考价格为2.43000美元。Nexperia USA Inc.PSMN6R3-120ESQ封装/规格：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK。您可以下载PSMN6R3-120ESQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN6R0-30YLDX具有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为47W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10.9 ns，上升时间为16.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为66 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.83V，Rds漏极-源极电阻为6.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.5ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为13.7nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的PSMN6R1-30YLDX，包括1.68 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为9.8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为11 ns，器件的漏极-源极电阻为6.5 mOhm，Qg栅极电荷为13.6nC，Pd功耗为47 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为66 A，下降时间为7.2 ns，配置为单一，通道模式为增强。
PSMN6R0-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN6R0-30YL在SSOP20封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN6R0-30YLB，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN6R0-30YLB在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
