这个英飞凌科技硅橡胶®小信号P沟道MOSFET具有几个特点，包括增强模式、低至-80A的连续漏电流以及宽的工作温度范围。SIPMOS功率晶体管可用于各种应用，包括电信、eMobility、笔记本电脑、DC/DC设备以及汽车行业。
·AEC Q101合格（请参考数据表）
·无铅电镀，符合RoHS
特色
- 增强模式
- 雪崩等级
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- AEC Q101批准的小型信号包
应用
- 汽车
- 消费者
- 直流-直流
- 电子移动性
- 电机控制
- 笔记本
- 车载充电器
BSP321PH6327XTSA1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 980毫安（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.73202 | 2.73202 |
- 库存: 8
- 单价: ¥2.73202
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.73
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
- 最大功耗 1.8W（Ta）
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 供应商设备包装 PG-SOT223-4
- 漏源电流 (Id) @ 温度 980毫安（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 900毫欧姆 @ 980毫安, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 380A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 319 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
BSP321PH6327XTSA1 产品详情
Infineon SIPMOS®P沟道MOSFET
BSP321PH6327XTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSPCF | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Positive) 电芯尺寸: 9伏 端接样式: PC引脚 包装: 散装 | ¥5.07003 |
 | BSPCM | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Negative) 电芯尺寸: 9伏 端接样式: PC引脚 包装: 散装 | ¥5.07003 |
 | BSP41,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 60V 1A SC73 | ¥1.01401 |
| BSP126,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | ¥1.15886 |
| BSPD400600Y3P | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大连续工作电压 (MCOV): 600VAC 工作温度: -40摄氏度~50摄氏度 极数: one | ¥88,048.89328 |
| BSPH2275TTR | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大放电电流值 (8/20µS): 40 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 275VAC 工作温度: -40摄氏度~80摄氏度 极数: two | ¥1,705.48566 |
| BSPD0180DINL | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大放电电流值 (8/20µS): 20 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 127VAC，180VDC 工作温度: -40摄氏度~80摄氏度 极数: four | ¥1,748.14634 |
| BSPM1A150D200LV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 仅限模块 最大放电电流值 (8/20µS): 40 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 120VAC，200VDC 极数: one | ¥566.02358 |
| BSPM1A75D100LVR | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 仅限模块 最大放电电流值 (8/20µS): 40 kA 最大连续工作电压 (MCOV): 75VAC, 100VDC 极数: one | ¥1,221.94966 |
| BSPD200480Y2P | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 形式: 底座+模块 最大连续工作电压 (MCOV): 480VAC 工作温度: -40摄氏度~50摄氏度 极数: one | ¥38,454.36683 |
BSP321PH6327XTSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSP321PH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSP321PH6327XTSA1价格参考￥2.732022，你可以下载 BSP321PH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSP321PH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
