SPW20N60C3FKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.7A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 55.11846 | 55.11846 |
| 10+ | 49.80218 | 498.02180 |
| 100+ | 41.23165 | 4123.16570 |
| 500+ | 38.60610 | 19303.05300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥53.38017
-
数量:
- +
- 总计: ¥55.12
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20.7A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 13.1A、10V时为190毫欧姆
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 114 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2400 pF@25 V
- 最大功耗 208W（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
- 色彩/颜色 -
SPW20N60C3FKSA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™C3功率MOSFET
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SPW20N60C3FKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SPW20N60C3FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SPW20N60C3FKSA1价格参考￥53.380173，你可以下载 SPW20N60C3FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SPW20N60C3FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
