特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- CPU供电
- DC-DC转换器
NTTFS4C13NTWG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 21.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.70788 | 4.70788 |
| 10+ | 4.03429 | 40.34295 |
| 100+ | 3.01159 | 301.15980 |
| 500+ | 2.36625 | 1183.12750 |
- 库存: 556
- 单价: ¥4.70789
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.71
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 770 pF @ 15 V
- 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
- 导通电阻 Rds(ON) 9.4毫欧姆 @ 30A, 10V
- 最大功耗 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
- 色彩/颜色 -
NTTFS4C13NTWG 产品详情
功率MOSFET 30V，38A，单N沟道，µ8FL
NTTFS4C13NTWG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTT508ACNL | 普思电子 (Pulse) | FIXED INDUCTOR SMD | ¥1.6369 |
| NTT501ADNLT | NTT501ADNLT | ¥0.00 | |
| NTT501ADNL | NTT501ADNL | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS4C13NTWG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS4C13NTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS4C13NTWG价格参考￥4.707885，你可以下载 NTTFS4C13NTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS4C13NTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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