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IRLHM620TRPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: PQFN(3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.69148 8.69148
10+ 7.79336 77.93360
100+ 6.07679 607.67930
500+ 5.02019 2510.09950
1000+ 4.40368 4403.68300
4000+ 4.40368 17614.73200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.69148
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.69
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@50A.
  • 最大功耗 2.7W(Ta)、37W(Tc)
  • 供应商设备包装 PQFN(3x3)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 26A(Ta)、40A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5毫欧姆@20A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3620 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

IRLHM620TRPBF 产品详情

应用
■ 电池驱动直流电机逆变器MOSFET

二次侧同步整流MOSFET

特征
 低Roson。(<2.5m2)
 PCB低热电阻(<3.4℃/W)
 薄型(<1.0 mm)
 行业标准引线
 与现有表面安装技术兼容
 符合RoHS要求,不含铅、不含溴、不含卤素
 MSL1,工业资质

福利
降低传导损耗
实现更好的散热
提高功率密度
多供应商兼容性
更容易制造
更环保
提高可靠性

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对4.5 V栅极驱动电压(称为逻辑电平)进行优化,并能够在2.5 V栅极驱动电流(称为超级逻辑电平)下驱动
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 高RDS(ON)SuperSO8封装的潜在替代方案
  • 能够进行波峰焊接


(图片:引线/示意图)

IRLHM620TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLHM620TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLHM620TRPBF价格参考¥8.691480,你可以下载 IRLHM620TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLHM620TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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