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RSR020P05TL是MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3，包括RSR020P0.05系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如TSMT-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-45 V，Rds导通漏极-漏极电阻为130 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35 ns，典型接通延迟时间为8 ns，Qg栅极电荷为9.5 nC，正向跨导最小值为1.2 S，沟道模式为增强。
RSR025N03，带有ROHM制造的用户指南。RSR025N03在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
RSR025N03 TL，电路图由ROHM制造。RSR025N03 TL在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
